江苏纳沛斯半导体有限公司
企业简介

江苏纳沛斯半导体有限公司 main business:开发、设计、生产、加工半导体晶圆凸块及相关产品;封装、测试半导体相关产品,并提供相关的研发、设计、检测、可靠性实验、测试及模拟的技术服务;销售本公司自产产品及半导体相关设备、附件、配件及原辅材料,自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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江苏纳沛斯半导体有限公司的工商信息
  • 91320000094222658E
  • 91320000094222658E
  • 在业
  • 有限责任公司(中外合资)
  • 2014-06-13
  • 袁泉
  • 7400万美元
  • 2014-06-13 至 永久
  • 江苏省工商行政管理局
  • 淮安工业园区管委会办公楼408室
  • 开发、设计、生产、加工半导体晶圆凸块及相关产品;封装、测试半导体相关产品,并提供相关的研发、设计、检测、可靠性实验、测试及模拟的技术服务;销售本公司自产产品及半导体相关设备、附件、配件及原辅材料,自营和代理各类商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
江苏纳沛斯半导体有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN106252247A 半导体结构及其形成方法 2016.12.21 一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:基底,所述基底表面具有凹槽,所述凹槽暴露出金属层表面
2 CN106252271A 晶圆匣 2016.12.21 本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种晶圆匣。本发明提供一种晶圆匣,包括相对设置的上基板和下基板,多
3 CN106206383A 薄膜形成方法和半导体结构 2016.12.07 一种薄膜形成方法和一种半导体结构,其中薄膜形成方法包括:提供基底,所述基底包括第一区域和第二区域,所
4 CN206123967U 刀片夹具 2017.04.26 本实用新型提供了一种刀片夹具,其包括多个夹臂和一连接架,多个夹臂环绕一连接架连接为一体,相邻夹臂之间
5 CN106482620A 用于检测晶圆框架平整度的治工具 2017.03.08 一种用于检测晶圆框架平整度的治工具,包括:平整度检测部件,包括一两端贯通的检测槽,所述检测槽所在平面
6 CN106409714A 裸片测试方法及晶圆 2017.02.15 本发明提供了一种裸片测试方法和晶圆。该裸片测试方法包括如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆具有多个伪芯片图
7 CN106409734A 晶圆匣 2017.02.15 本发明提供一种晶圆匣,所述晶圆匣在至少一侧壁的边缘处沿竖直方向设置有一开口,开口内设置有沿竖直方向滑
8 CN106298574A 金属凸块的厚度测量方法 2017.01.04 一种金属凸块的厚度测量方法,包括:提供一基底,所述基底表面形成有具有开口的图形化掩膜层,所述开口暴露
9 CN106298719A 金属凸块结构及其形成方法 2017.01.04 一种金属凸块结构及其形成方法,所述金属凸块结构的形成方法包括:提供基底;在所述基底上形成图形化掩膜层
10 CN204857709U 一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块 2015.12.09 本实用新型公开了一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、
11 CN204834607U 一种铜镍金IC封装凸块结构 2015.12.02 本实用新型公开了一种铜镍金IC封装凸块结构,包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜
12 CN105047631A 一种铜镍金IC封装凸块结构 2015.11.11 本发明公开了一种铜镍金IC封装凸块结构,包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、
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